半導体物性なんでもＱ＆Ａ －対話から生まれた半導体教本－
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内容紹介
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目次
- 第1部 もっと知りたい！半導体デバイス
- Stage 1 p-n接合の拡散電位差を電池として利用できるか
- Stage 2 p-n接合ダイオードの順方向電流-電圧特性
- Stage 3 金属の種類とショットキー接合
- Stage 4 シリコンにショットキー障壁を作る金属
- Stage 5 バイポーラトランジスタの電流増幅率の温度依存性
- Stage 6 パンチスルー現象
- Stage 7 半導体素子の温度依存性
- Stage 8 p-n接合の光電流
- Stage 9 フォトダイオード
- Stage 10 フォトダイオードの受光領域
- Stage 11 太陽電池の理論的最大変換効率の導出法
- Stage 12 太陽電池の低温特性
- Stage 13 太陽電池作製に必要なシリコンの量
- Stage 14 ソーラーパネルは発光するか
- Stage 15 LED（発光ダイオード）の発光の原理
- 第２部 半導体物性のココが難しい！
- Stage 16 半導体のフェルミ準位はなぜバンドギャップの真ん中にくるのか
- Stage 17 間接遷移がわからない
- Stage 18 間接遷移・直接遷移は何によって決まるのか
- Stage 19 シリコンの直接バンドギャップ
- Stage 20 GaAs，GaPのバンドギャップ
- Stage 21 バンドギャップの温度依存性
- Stage 22 なぜZnOはn形で，NiOはp形か
- Stage 23 融点以上での半導体のキャリア密度
- Stage 24 ホッピング伝導とトンネル伝導の違い
- Stage 25 水素化アモルファスシリコンの電子移動度とホール移動度の差はなぜか
- Stage 26 半導体の誘電率
- Stage 27 ドーピングによってシリコンの色は変わるのか
- Stage 28 絶縁体はすべて透明か
- Stage 29 半導体のサブギャップ吸収
- Stage 30 なぜ光伝導スペクトルを測定するのか
- Stage 31 半導体中の空間電荷制限電流の温度依存性
- Stage 32 オーミックな電流より多く流れるのに，なぜ空間電荷「制限電流」と呼ぶのか
- ｅｔｃ
製品情報
| 製品名 | 半導体物性なんでもＱ＆Ａ －対話から生まれた半導体教本－ |
|---|---|
| 著者名 | 著：佐藤 勝昭 |
| 発売日 | 2010年06月12日 |
| 価格 | 定価：2,860円（本体2,600円） |
| ISBN | 978-4-06-155785-7 |
| 判型 | A5 |
| ページ数 | 176ページ |
| 初出 | 本書は著者のウェブサイト「物性なんでもＱ＆Ａ」に寄せられた多くの質問と、それに対する回答のうちから半導体に関するものを抜粋し、半導体教本として編纂したもの。 |
