初歩から学ぶ半導体工学

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初歩から学ぶ半導体工学
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内容紹介

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目次

  • 第1章 量子力学の基礎
  • 1.1 波の表現/1.2 位相速度と群速度/1.3 物質波としての電子/1.4 不確定性原理/1.5 シュレーディンガー方程式と波動関数/1.6 1次元の井戸型ポテンシャル/1.7 スピンとパウリの排他原理/1.8 3次元の井戸型ポテンシャル/1.9 トンネル効果/1.10 時間に依存しない摂動論/1.11 時間に依存する摂動論
  • 第2章 水素原子から物質へ
  • 2.1 水素原子/2.2 水素分子/2.3 s軌道あるいはp軌道からなる物質
  • 第3章 バンド理論
  • 3.1 結晶の周期性と結晶構造/3.2 金属自由電子論/3.3 ブロッホの定理/3.4 1次元空格子の電子構造/3.5 1次元結晶格子のバンドギャップ/3.6 2次元および3次元格子のバンドギャップ/3.7 1次元の強結合近似/3.8 2次元の強結合近似
  • 第4章 半導体のバンド構造
  • 4.1 強結合近似のバンド構造/4.2 k・p摂動(1):バンド端の詳細構造/4.3 k・p摂動(2):面心立方格子の空格子に基づく計算/4.4 有効質量と運動方程式/4.5 正孔/4.6 真性半導体のキャリア密度の温度依存性
  • 第5章 不純物半導体
  • 5.1 ドナーとアクセプター/5.2 浅い準位を有する不純物中心の有効質量近似/5.3 ドナー不純物に束縛された電子の空間分布/5.4 不純物半導体におけるキャリア密度の温度依存性
  • 第6章 格子振動
  • 6.1 格子振動とは/6.2 1次元単原子格子/6.3 1次元2原子格子/6.4 3次元の格子振動/6.5 フォノン/6.6 格子比熱
  • 第7章 キャリアの輸送現象
  • 7.1 オームの法則/7.2 ホール効果/7.3 移動度の温度依存性/7.4 ボルツマン方程式/7.5 散乱プロセスの計算/7.6 緩和時間の計算
  • 第8章 光学的性質
  • 8.1 物質中の電磁波/8.2 バンド間遷移/8.3 ドナーに束縛された電子の光励起
  • 第9章 pn接合
  • 9.1 pn接合の形成方法/9.2 拡散電流/9.3 pn接合近傍で生じる現象/9.4 pn接合の熱平衡状態におけるバンド図/9.5 連続の式/9.6 順方向電流/9.7 逆方向電流/9.8 接合容量/9.9 pn接合におけるトンネル効果
  • 第10章 MOS構造
  • 10.1 MOS構造とは
  • 10.2 蓄積層・空乏層・反転層における電場分布およびポテンシャル分布/10.3 Si表面の電子/10.4 理想MOSの容量/10.5 理想MOSでない場合
  • 第11章 MOS電界効果トランジスタ
  • 11.1 MOS電界効果トランジスタの構造
  • 11.2 MOS電界効果トランジスタの動作原理(1):線形領域
  • 11.3 MOS電界効果トランジスタの動作原理(2):一般的な電流―電圧特性
  • 11.4 MOS電界効果トランジスタの動作原理(3):飽和領域
  • 11.5 移動度/11.6 閾値電圧/11.7 サブスレッショルド・スロープ/11.8 基板バイアス効果
  • 第12章 集積回路
  • 第13章 界面の量子化

製品情報

製品名 初歩から学ぶ半導体工学
著者名 著:原 明人
発売日 2022年11月04日
価格 定価:3,520円(本体3,200円)
ISBN 978-4-06-528292-2
判型 B5
ページ数 304ページ

著者紹介

著:原 明人(ハラ アキト)

1983年東京理科大学理学部第1部応用物理学科卒業。1985年東北大学理学研究科物理学専攻前期博士課程修了。
その後,民間企業にて半導体結晶工学,半導体デバイスの研究開発に従事。1998年博士(理学)東北大学。
2006年東北学院大学工学部電子工学科助教授,2008年東北学院大学工学部電子工学科教授を経て,現在は東北学院大学工学部電気電子工学科教授。

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