初歩から学ぶ半導体工学
ショホカラマナブハンドウタイコウガク
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内容紹介
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目次
- 第1章 量子力学の基礎
- 1.1 波の表現／1.2 位相速度と群速度／1.3 物質波としての電子／1.4 不確定性原理／1.5 シュレーディンガー方程式と波動関数／1.6 1次元の井戸型ポテンシャル／1.7 スピンとパウリの排他原理／1.8 3次元の井戸型ポテンシャル／1.9 トンネル効果／1.10 時間に依存しない摂動論／1.11 時間に依存する摂動論
- 第2章 水素原子から物質へ
- 2.1 水素原子／2.2 水素分子／2.3 s軌道あるいはp軌道からなる物質
- 第3章 バンド理論
- 3.1 結晶の周期性と結晶構造／3.2 金属自由電子論／3.3 ブロッホの定理／3.4 1次元空格子の電子構造／3.5 1次元結晶格子のバンドギャップ／3.6 2次元および3次元格子のバンドギャップ／3.7 1次元の強結合近似／3.8 2次元の強結合近似
- 第4章 半導体のバンド構造
- 4.1 強結合近似のバンド構造／4.2 k・p摂動(1)：バンド端の詳細構造／4.3 k・p摂動(2)：面心立方格子の空格子に基づく計算／4.4 有効質量と運動方程式／4.5 正孔／4.6 真性半導体のキャリア密度の温度依存性
- 第5章 不純物半導体
- 5.1 ドナーとアクセプター／5.2 浅い準位を有する不純物中心の有効質量近似／5.3 ドナー不純物に束縛された電子の空間分布／5.4 不純物半導体におけるキャリア密度の温度依存性
- 第6章 格子振動
- 6.1 格子振動とは／6.2 1次元単原子格子／6.3 1次元2原子格子／6.4 3次元の格子振動／6.5 フォノン／6.6 格子比熱
- 第7章 キャリアの輸送現象
- 7.1 オームの法則／7.2 ホール効果／7.3 移動度の温度依存性／7.4 ボルツマン方程式／7.5 散乱プロセスの計算／7.6 緩和時間の計算
- 第8章 光学的性質
- 8.1 物質中の電磁波／8.2 バンド間遷移／8.3 ドナーに束縛された電子の光励起
- 第9章 pn接合
- 9.1 pn接合の形成方法／9.2 拡散電流／9.3 pn接合近傍で生じる現象／9.4 pn接合の熱平衡状態におけるバンド図／9.5 連続の式／9.6 順方向電流／9.7 逆方向電流／9.8 接合容量／9.9 pn接合におけるトンネル効果
- 第10章 MOS構造
- 10.1 MOS構造とは
- 10.2 蓄積層・空乏層・反転層における電場分布およびポテンシャル分布／10.3 Si表面の電子／10.4 理想MOSの容量／10.5 理想MOSでない場合
- 第11章 MOS電界効果トランジスタ
- 11.1 MOS電界効果トランジスタの構造
- 11.2 MOS電界効果トランジスタの動作原理(1)：線形領域
- 11.3 MOS電界効果トランジスタの動作原理(2)：一般的な電流―電圧特性
- 11.4 MOS電界効果トランジスタの動作原理(3)：飽和領域
- 11.5 移動度／11.6 閾値電圧／11.7 サブスレッショルド・スロープ／11.8 基板バイアス効果
- 第12章 集積回路
- 第13章 界面の量子化
製品情報
| 製品名 | 初歩から学ぶ半導体工学 |
|---|---|
| 著者名 | 著：原 明人 |
| 発売日 | 2022年11月04日 |
| 価格 | 定価：3,520円（本体3,200円） |
| ISBN | 978-4-06-528292-2 |
| 判型 | B5 |
| ページ数 | 304ページ |
