スピントロニクスの基礎と応用 理論、モデル、デバイス
スピントロニクスノキソトオウヨウリロンモデルデバイス
内容紹介
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目次
- 第1章 イントロダクション
- 1.1 スピンとは何か?
- 1.2 単一スピンの演算
- 1.3 現実の物質のスピン
- 1.4 強磁性原子における3d 電子
- 1.5 位相空間における電子: 状態密度
- 1.6 電子スピンの表現の量子力学的見方: 第二量子化
- 1.7 スピン輸送とランダムウォーク
- 1.8 磁化とマイクロマグネティズム
- 第2章 スピントロニクス構造における物理現象
- 2.1 古典的な双極子相互作用と量子的な交換相互作用
- 2.2 二重交換相互作用
- 2.3 RKKY 相互作用
- 2.4 低次元物体における異方性効果の例
- 2.5 低次元の磁気システムにおける磁化ダイナミクス
- 第3章 磁化ダイナミクス研究におけるマイクロマグネティック方程式
- 3.1 強いスピン-軌道相互作用をもつ物質の磁化ダイナミクス:Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用
- 3.2 スキルミオン
- 3.3 有限温度での磁化ダイナミクス
- 第4章 磁化ダイナミクスの検出
- 第5章 多層構造における接触効果
- 5.1 境界条件と磁気的な界面効果
- 5.2 強磁性-反強磁性接合: EB および90°結合
- 5.3 超伝導体-常伝導体接合: アンドレーフ反射
- 第6章 スピントロニクス構造における輸送現象
- 6.1 スピンの拡散とドリフト
- 6.2 トンネル効果
- 6.3 クーロンブロッケード
- 6.4 近藤効果
- 6.5 キャリアの反射と散乱
- 6.6 スピン注入とスピン蓄積
- 6.7 スピントランスファートルク
- 第7章 スピントロニクスデバイス
- 7.1 スピントロニクス素子における電子的パラメータ
- 7.2 スピンバルブ
- 7.3 磁気トンネル接合
- 7.4 磁気ダイオード
- 7.5 磁気電界発光ダイオード
- 7.6 単電子トランジスタ
- 7.7 バイポーラ磁気トランジスタ
- 7.8 磁気NOT 論理ゲート
- 7.9 その他の磁気論理ゲートとデバイス
- 7.10 磁気テープストレージシステムからハードディスクの読み取り/書き込みヘッドまで
- 7.11 磁気メモリセル: MRAM
- 7.12 フォンノイマンアーキテクチャを超えて-ニューロモルフィックコンピューティング
- 7.13 CMOS 互換のスピントロニクスとハイブリッドソリューション
- 7.14 量子干渉計,アハラノフ=ボーム効果,およびファノ効果
- 7.15 磁気マーカーとバイオチップ
- 第8章 外的要因や物理的な場がスピントロニクス素子動作に与える影響
- 8.1 温度効果に支援された素子のスイッチング
- 8.2 スピンカロリトロニクス
- 8.3 圧力
- 8.4 歪み
- 8.5 電場
- 8.6 光
- 8.7 電流とスピントロニクスデバイスのスイッチング
- 第9章 実用的なスピントロニクス材料
- 9.1 金属とハーフメタル
- 9.2 希薄磁性半導体
- 9.3 マルチフェロイクス
- 9.4 反強磁性体
- 9.5 有機スピントロニクス
- 9.6 多層系における他の物質
製品情報
製品名 | スピントロニクスの基礎と応用 理論、モデル、デバイス |
---|---|
著者名 | 著:Tomasz Blachowicz 著:Andrea Ehrmann 訳:塩見 雄毅 |
発売日 | 2021年07月28日 |
価格 | 定価:5,500円(本体5,000円) |
ISBN | 978-4-06-524092-2 |
判型 | A5 |
ページ数 | 336ページ |
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