スピントロニクスの基礎と応用 理論、モデル、デバイス

スピントロニクスノキソトオウヨウリロンモデルデバイス
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内容紹介

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目次

  • 第1章 イントロダクション
  • 1.1 スピンとは何か?
  • 1.2 単一スピンの演算
  • 1.3 現実の物質のスピン
  • 1.4 強磁性原子における3d 電子
  • 1.5 位相空間における電子: 状態密度
  • 1.6 電子スピンの表現の量子力学的見方: 第二量子化
  • 1.7 スピン輸送とランダムウォーク
  • 1.8 磁化とマイクロマグネティズム
  • 第2章 スピントロニクス構造における物理現象
  • 2.1 古典的な双極子相互作用と量子的な交換相互作用
  • 2.2 二重交換相互作用
  • 2.3 RKKY 相互作用
  • 2.4 低次元物体における異方性効果の例
  • 2.5 低次元の磁気システムにおける磁化ダイナミクス
  • 第3章 磁化ダイナミクス研究におけるマイクロマグネティック方程式
  • 3.1 強いスピン-軌道相互作用をもつ物質の磁化ダイナミクス:Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用
  • 3.2 スキルミオン
  • 3.3 有限温度での磁化ダイナミクス
  • 第4章 磁化ダイナミクスの検出
  • 第5章 多層構造における接触効果
  • 5.1 境界条件と磁気的な界面効果
  • 5.2 強磁性-反強磁性接合: EB および90°結合
  • 5.3 超伝導体-常伝導体接合: アンドレーフ反射
  • 第6章 スピントロニクス構造における輸送現象
  • 6.1 スピンの拡散とドリフト
  • 6.2 トンネル効果
  • 6.3 クーロンブロッケード
  • 6.4 近藤効果
  • 6.5 キャリアの反射と散乱
  • 6.6 スピン注入とスピン蓄積
  • 6.7 スピントランスファートルク
  • 第7章 スピントロニクスデバイス
  • 7.1 スピントロニクス素子における電子的パラメータ
  • 7.2 スピンバルブ
  • 7.3 磁気トンネル接合
  • 7.4 磁気ダイオード
  • 7.5 磁気電界発光ダイオード
  • 7.6 単電子トランジスタ
  • 7.7 バイポーラ磁気トランジスタ
  • 7.8 磁気NOT 論理ゲート
  • 7.9 その他の磁気論理ゲートとデバイス
  • 7.10 磁気テープストレージシステムからハードディスクの読み取り/書き込みヘッドまで
  • 7.11 磁気メモリセル: MRAM
  • 7.12 フォンノイマンアーキテクチャを超えて-ニューロモルフィックコンピューティング
  • 7.13 CMOS 互換のスピントロニクスとハイブリッドソリューション
  • 7.14 量子干渉計,アハラノフ=ボーム効果,およびファノ効果
  • 7.15 磁気マーカーとバイオチップ
  • 第8章 外的要因や物理的な場がスピントロニクス素子動作に与える影響
  • 8.1 温度効果に支援された素子のスイッチング
  • 8.2 スピンカロリトロニクス
  • 8.3 圧力
  • 8.4 歪み
  • 8.5 電場
  • 8.6 光
  • 8.7 電流とスピントロニクスデバイスのスイッチング
  • 第9章 実用的なスピントロニクス材料
  • 9.1 金属とハーフメタル
  • 9.2 希薄磁性半導体
  • 9.3 マルチフェロイクス
  • 9.4 反強磁性体
  • 9.5 有機スピントロニクス
  • 9.6 多層系における他の物質

製品情報

製品名 スピントロニクスの基礎と応用 理論、モデル、デバイス
著者名 著:Tomasz Blachowicz 著:Andrea Ehrmann 訳:塩見 雄毅
発売日 2021年07月28日
価格 定価:5,500円(本体5,000円)
ISBN 978-4-06-524092-2
判型 A5
ページ数 336ページ

著者紹介

訳:塩見 雄毅(シオミ ユウキ)

東京大学大学院総合文化研究科 准教授

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