大学院物性物理３
ダイガクインブッセイブツリ
内容紹介
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目次
- １ 表面物理
- １．はじめに
- ２．表面の電子状態
- １．表面状態の起源
- ２．表面電子状態を探る種々の実験法
- ３．走査トンネル顕微鏡で観察される表面状態
- ３．表面構造
- １．半導体表面の再構成
- ２．金属表面の再構成構造
- ３．表面構造の解析手法
- ●低速電子線回析
- ●イオン散乱法
- ●電界イオン顕微鏡（FIM）
- ４．走査トンネル顕微鏡－分光の原理
- ４．吸着現象
- １．化学吸着
- ２．解離吸着機構
- ５．電子移動をともなう動的過程
- １．電界オン化と電子（光）刺激脱離
- ２．動的なトンネル過程
- ６．おわりに
- ２ アンダーソン局在・メゾスコピック系
- １．アンダーソン局在とメゾスコピック系
- ２．アンダーソン局在
- ３．ミクロスコピックなスケーリング理論
- ４．アンダーソン局在と磁場
- ５．AAS効果
- ６．AB効果
- ７．電気伝導の理論―久保の公式とランダウアーの公式
- ８．コンダクタンスの量子化とバリスティックな伝導
- ９．ユニバーサルなコンダクタンスのゆらぎ
- １０．おわりに
- ３ アモルファス物質―アモルファスから準結晶へ
- １．アモルファス金属
- １．アモルファス金属とは
- ２．ガラス転移
- ３．アモルファス金属の構造
- ４．アモルファス金属の構造秩序
- ５．アモルファス金属の方位秩序
- ６．アモルファス金属の電子構造
- ２．準結晶
- １．準結晶とは
- ２．準格子と原子修飾
- ３．回折図形と構造因子
- ４．準結晶の種類と近似結晶
- ５．フェイゾンとランダムタイリング
- ６．準結晶の電子構造
- ４ 高分子・ゲル
- １．はじめに
- １．高分子の分子構造@###
